Communication science et technologie
Volume 11, Numéro 2, Pages 49-57
2013-07-01

Comparaison Entre Un Mosbulk Et Un Mosigeoi En Technologie Sige Utilisant Le Modèle Bsim 3v3.1 Pspice: Application Aux Circuits Lvds.



Auteurs : Z. Rebaoui . D. Chalabi Chalabi . A. Saïdane . M. Abboun Abid .

Résumé

Abstract - Dans cet article nous avons présenté une étude comparative d’un MOSBULK et d’un NMOSiGeOI en faisant la superposition d’un MOS, d’un bipolaire NPN et d’un condensateur. Le simulateur PSPICE et le modèle BSIM3V3 ont été utilisés. A travers les caractéristiques ID=f(VDS), ID=f(VGS), de la conductance et de la transconductance nous montrons le bon fonctionnement du dispositif calculé en faible tension. Nous notons en revanche quelques effets inhérents au MOSiGeOI.

Mots clés

MOS BULK, MOSiGeOI, BiCMOS, LVDS, BSIM3V3, transistor parasite

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