نمذجة الفقد في مكثفة ترانزستور  MOS معدن/ أكسيد/ شبه ناقل

بوروبة, فريد; ونوغي, زهير; بوصبيعات السعيد, السعيد

مجلة العلوم والتكنولوجيا
Volume 4, Numéro 2, Pages 82-103
2022-12-30

نمذجة الفقد في مكثفة ترانزستور Mos معدن/ أكسيد/ شبه ناقل

الكاتب : بوروبة فريد . ونوغي زهير . بوصبيعات السعيد السعيد .

الملخص

في ظل تطوير ترانزستورات موصفت(MOSFET) إلى السّلم النانوني(تصغير أبعاد الموصفت إلى النانومتر) أخذ العلماء بعين الاعتبار عاملين أساسيين هما كيفية نقل المعلومة بسرعة ودقة فائقتين مع التصغير في الأبعاد تزامنا مع هذا التسابق في التصنيع ظهر ما يسمى بتيار الفقد (تيار ضائع) على مستوى المكثفة موصMOS عبر العازل والذي قد يسبب إتلاف المركب إذا كانت شدته عالية وبالتالي فساد المعالج الدقيق(Microprocesseur) مما جعلنا نهتم بنمذجة هذا التيار من خلال التعرف على بنية المكثفة (MOS) وأنظمةتشغيلها وتوظيف برمجية (Matlab) في المحاكاة و الهدف منها هو استغلال النتائج التجريبية من أجلاستخلاص مختلف وسائط المكثفة لمعرفة الأسباب المساعدة في التقليل من هذا التيار