CARACTERISATION DES TMOS ULTRA-COURT

N., Guenifi; M., Hemissi; F., Djahli

Communication science et technologie
Volume 1, Numéro 1, Pages 117-123
2002-06-01

Caracterisation Des Tmos Ultra-court

Auteurs : N. Guenifi . M. Hemissi . F. Djahli .

Résumé

L'industrie des composants VLSI exige des investissements financiers de plus en plus lourd pour mesurer la sophistication grandissante des produits fabriqués ainsi que pour les équipements nécessaires à leur élaboration. De ce fait, la modélisation électrique des composants électriques constitue actuellement un axe de recherche très convoité à travers le monde. Pour suivre cette évolution, les modèles existants doivent être améliorés et de nouveaux modèles doivent être développés. C'est ainsi que nous assistons ' régulièrement el des améliorations des logiciels de simulation. Dans ce travail, nous avons mis en oeuvre un modèle de la technique de pompage de charge pour le TMOS. Ce modèle, implanté dans le simulateur SPICE3F4 ,prend en considération la majorité des effets physiques décrivant le comportement réel du dispositif La validation de notre modèle, nous a fourni des résultats concernant le courant pompé Icp en négligeant l'effet de la température sur les paramètres du TMOS, en fonction des niveaux haut et bas de l'impulsion de grille Vgh et Vgl et en fonction de la température. Nos résultats sont comparés à des résultats expérimentaux. Ces résultats sont analysés et commentés de manière à pouvoir en tirer des conclusions pratiques qui sont de nature il intéresser tous ceux qui sont appelés à réaliser des circuits de technologie VLSI.